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武汉网工文献推荐：1.Self-AssembledNetworkedPbSDistributionQuantumDotsforResistiveSwitchingandArtifcialSynapsePerformanceBoostofMemristors.(Adv.Mater.DOI:10.1002/adfm.201705320)2.MemristorwithAg-cluster-dopedTiO2filmsasartificialsynapseforNeuroinspiredcomputing.(Adv.Funct.Mater.DOI:10.1002/adfm.201705320)3.GrapheneOxideQuantumDotsBasedMemristorswithProgressiveConductionTuningforArtifcialSynapticLearning.(Adv.Funct.Mater.DOI:10.1002/adfm.201803728)4.Designingcarbonconductivefilamentmemristordevicesformemoryandelectronicsynapseapplications.(Mater.Horiz.DOI:10.1039/C9MH01684H)5.TheRiseof2DPhotothermalMaterialsbeyondGrapheneforCleanWaterProduction.(Adv.Sci.DOI:10.1002/advs.201902236)。基于2D材料的忆阻器具有多种物理切换机制，个电包括导电细丝、原子空位以及电子捕获和脱离机制。

图6. MoTe2基忆阻器的基本特性(a)MoTe2垂直器件图示及光学、月3用SEM图像。前投【图文导读】图1. 2D材料基忆阻器及其开关机制总览图图2. Ag/GO/ITO器件的双极开关特性(a,b)Ag/GO/ITO器件的光学照片及I-V曲线。湖北图13. Ag/GaSe/Ag忆阻器的物理开关机制(a)Vds=0的原始状态。

(k,l)Vg=40V下，武汉网工忆阻器的原理图及局部I-V曲线。美国光学学会会士、个电基金委优青、科睿唯安高被引科学家（2018/2019）、广东省科技领军人才等。

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